• 随着 ASML 获得更多客户的采用承诺，Samsung 计划从 2028 年起在 DRAM 量产中采用 High NA
  • 更大的 12 英寸光掩模仍按单独时间表推进，早期 High NA 系统将继续使用现有掩模规格

事实

据 Reuters 9 月 14 日报道，ASML 的 High NA 光刻设备正获得领先芯片制造商的采用承诺。这些系统的分辨率高于现有 EUV 设备，每台售价约 4 亿美元，约为当前 EUV 设备价格的两倍。

Samsung 与 ASML 于 9 月 8 日表示，双方将扩大 High NA 相关工作；Samsung 计划从 2028 年起在 DRAM 量产中采用该技术。两家公司还在开发更大的 12 英寸光掩模规格，旨在支持更大的芯片版图，并减少将分开印制的区域拼接在一起的需要。

这些进展遵循不同的时间表。早期 High NA 量产系统将继续使用现有的 6 英寸掩模规格。据 Reuters 报道，使用更大尺寸光掩模进行试生产的目标为 2031 年，支持该规格的系统目标则为 2033 年。

评估

Samsung 从 2028 年起在 DRAM 量产中采用 High NA，将成为首批可检验这项技术能否以量产表现证明其高昂价格合理性的案例之一。一台约 4 亿美元的光刻设备，只有在生产的其他环节能够节省足够时间或减少足够复杂性时才有经济意义。如果 Samsung 能在不大幅牺牲吞吐量或良率的情况下减少图形化工艺步骤，更高的设备成本就可能更容易消化。能否实现这一点，将取决于具体芯片和制造工艺。

更大尺寸光掩模按另一时间表推进。Samsung 可以先使用现有的 6 英寸掩模规格部署 High NA，因此其 2028 年 DRAM 计划并不依赖 12 英寸版本就绪。芯片制造商可以分阶段采用这项技术，而不必等待整套路线图全部落地。

对 BTW 读者而言，客户承诺表明 High NA 正更接近常规量产。更有力的证据将来自晶圆厂本身：Samsung 能否减少工艺步骤、维持晶圆在产线中的顺畅流转，并保持足够的良率，使这项投资值得。

值得关注

Samsung 从 2028 年起在 DRAM 量产中采用 High NA，将是下一项重大考验。High NA 投产后，应关注工艺步骤缩减、吞吐量和良率方面的证据。12 英寸光掩模的进展应单独跟踪，并与报道所述的 2031 年试生产目标和 2033 年系统目标进行对照。