• تخطط Samsung لإدخال High NA في الإنتاج الكمي لذاكرة DRAM اعتباراً من ٢٠٢٨، مع حصول ASML على مزيد من التزامات العملاء
  • تظل الأقنعة الضوئية الأكبر بقياس ١٢ بوصة على جدول زمني منفصل، مع استمرار أنظمة High NA المبكرة في استخدام تنسيق القناع الحالي

الوقائع

أفادت Reuters في ١٤ سبتمبر بأن ASML تحصل على التزامات من كبار مصنّعي الرقائق بشأن آلات الطباعة الحجرية بتقنية High NA التابعة لها. وتوفر الأنظمة دقة أعلى من معدات EUV الحالية، وتبلغ تكلفة الواحدة منها نحو ٤٠٠ مليون دولار، أي قرابة ضعف سعر أدوات EUV الحالية.

وقالت Samsung وASML في ٨ سبتمبر إنهما ستوسعان عملهما على تقنية High NA، إذ تخطط Samsung لإدخال التقنية في الإنتاج الكمي لذاكرة DRAM اعتباراً من ٢٠٢٨. كما تطور الشركتان تنسيقاً أكبر لقناع ضوئي بقياس ١٢ بوصة، يهدف إلى دعم مخططات رقائق أكبر وتقليل الحاجة إلى وصل المناطق المطبوعة كل على حدة بعضها ببعض.

تسير هذه التطورات وفق جداول زمنية مختلفة. وستواصل أنظمة الإنتاج المبكرة بتقنية High NA استخدام تنسيق القناع الحالي بقياس ٦ بوصات. وأفادت Reuters بأن الهدف هو بدء الإنتاج التجريبي بالأقنعة الأكبر في ٢٠٣١، على أن تتبع ذلك أنظمة تدعمها في ٢٠٣٣.

التقييم

سيكون إدخال Samsung لتقنية High NA في الإنتاج الكمي لذاكرة DRAM عام ٢٠٢٨ إحدى أولى الفرص لمعرفة ما إذا كانت التقنية قادرة على تبرير سعرها الأعلى بكثير في التصنيع الكمي. ولا يكون الاستثمار في أداة طباعة حجرية تكلف نحو ٤٠٠ مليون دولار منطقياً إلا إذا اختصرت وقتاً أو أزالت تعقيداً بما يكفي في مواضع أخرى من الإنتاج. وإذا استطاعت Samsung إزالة خطوات من تشكيل الأنماط من دون تكبد خسائر كبيرة في معدل الإنتاج أو المردود، فقد يصبح استيعاب ارتفاع تكلفة المعدات أسهل. وسيتوقف مدى نجاح ذلك على الرقاقة المحددة وعملية التصنيع المستخدمة.

يتبع القناع الضوئي الأكبر جدولاً زمنياً منفصلاً. ويمكن أن تبدأ Samsung باستخدام High NA مع تنسيق القناع الحالي بقياس ٦ بوصات، لذلك لا تعتمد خططها لإنتاج DRAM في ٢٠٢٨ على جاهزية نسخة ١٢ بوصة. وبذلك يستطيع مصنّعو الرقائق إدخال التقنية على مراحل بدلاً من انتظار اكتمال خريطة الطريق كلها.

بالنسبة إلى قراء BTW، تظهر التزامات العملاء أن High NA يقترب من الإنتاج المنتظم. أما الدليل الأقوى فسيأتي من مصنع الرقائق نفسه: ما إذا كانت Samsung تستطيع تقليص خطوات العملية، والحفاظ على تدفق الرقاقات عبر خط الإنتاج، والإبقاء على مردود كافٍ لجعل الاستثمار مجدياً.

ما ينبغي متابعته

يمثل انتقال Samsung نحو الإنتاج الكمي لذاكرة DRAM في ٢٠٢٨ الاختبار الرئيسي التالي. تابعوا الأدلة على خفض خطوات العملية ومعدل الإنتاج والمردود عند دخول High NA مرحلة الإنتاج. وينبغي تتبع التقدم في أقنعة ١٢ بوصة بصورة منفصلة مقارنةً بالهدفين الواردين في التقارير: الإنتاج التجريبي في ٢٠٣١، والأنظمة الداعمة في ٢٠٣٣.