• 三星计划从 2028 年起将 ASML 的 High NA 光刻技术引入大规模 DRAM 制造
  • 首批量产系统将采用现有的掩模版式，而单独的大掩模计划预计还需要数年时间

事实

随着芯片制造商准备将新型设备投入生产，三星计划从 2028 年起在量产 DRAM 制造中使用 ASML 的 High NA 极紫外光刻技术。路透社在 9 月 14 日报道了更多客户对这项技术的承诺，并指出一套 High NA 系统的价格约为 4 亿美元，约为现有 EUV 设备的两倍。

High NA 让芯片制造商在向晶圆上印刷图案时获得更精细的分辨率。三星和 ASML 还在合作研发更大的 12 英寸光掩模，旨在支持更大的芯片版图，并减少将分开印刷的区域拼接在一起的需要。这两项进展不会同时到位。首批 High NA 量产系统预计将使用现有的六英寸掩模版式。据路透社报道，采用更大掩模的试产目标定在 2031 年，设备则随后于 2033 年跟进。

评估

设备价格固然重要，但芯片制造商更关心的是它在工厂内部改变了什么。如果 High NA 更精细的印刷能够减少额外的光刻步骤，或者简化原本需要多次曝光的工艺，它的合理性就会更容易证明。

这仍然需要在真实产品上验证。一台 4 亿美元的设备并不会仅仅因为更先进就自动变得更便宜。三星需要看到它能省去多少工艺步骤、机器能产出多少有效产量，以及多少成品芯片达到要求的良率标准。

对 BTW 读者而言，三星的 2028 年 DRAM 计划为 High NA 给出了一个明确的生产里程碑。更大的光掩模有单独的时间表，因此芯片制造商不必等那项工作完成才开始使用新光刻系统。

关注要点

关注三星在 2028 年实现量产 DRAM 的进展，以及任何显示 High NA 能省去哪些光刻步骤的制造数据。大掩模计划应单独跟踪，尤其是其计划中的 2031 年试产和之后的设备时间表。