Zusammenfassung

  • Samsung plant, die Lithografie mit High NA von ASML ab 2028 in der DRAM-Großserienfertigung einzusetzen
  • Die ersten Produktionssysteme werden das derzeitige Maskenformat nutzen, während ein separates Programm für größere Masken voraussichtlich noch mehrere Jahre benötigen wird

Die Fakten

Samsung plant, die Extrem-Ultraviolett-Lithografie mit High NA von ASML ab 2028 in der DRAM-Großserienfertigung einzusetzen, während sich Chiphersteller darauf vorbereiten, die neueren Anlagen in die Produktion zu überführen. Reuters berichtete am 14. September über weitergehende Zusagen von Kunden zu dieser Technologie und bezifferte den Preis eines Systems mit High NA auf rund 400 Millionen US-Dollar, etwa das Doppelte des Preises bestehender EUV-Anlagen.

High NA ermöglicht Chipherstellern eine feinere Auflösung bei der Abbildung von Strukturen auf Wafern. Samsung und ASML arbeiten außerdem an einer größeren 12-Zoll-Fotomaske, die größere Chipentwürfe unterstützen und den Bedarf verringern soll, getrennt belichtete Bereiche zusammenzufügen.

Die beiden Entwicklungen folgen unterschiedlichen Zeitplänen. Die ersten Produktionssysteme mit High NA sollen das bestehende Sechs-Zoll-Maskenformat verwenden. Reuters berichtete, dass die Pilotproduktion mit den größeren Masken für 2031 vorgesehen ist und entsprechende Systeme 2033 folgen sollen.

Die Einordnung

Der Preis der Anlage spielt eine Rolle, doch für Chiphersteller wird wichtiger sein, welche Veränderungen sie im Werk bewirkt. High NA lässt sich leichter rechtfertigen, wenn die feinere Abbildung zusätzliche Lithografieschritte überflüssig macht oder einen Prozess vereinfacht, der sonst mehrere Durchläufe erfordern würde.

Das muss sich jedoch erst an realen Produkten beweisen. Ein System für 400 Millionen US-Dollar ist nicht automatisch günstiger im Einsatz, nur weil es fortschrittlicher ist. Samsung muss feststellen, wie viele Prozessschritte sich einsparen lassen, welche nutzbare Produktionsleistung die Anlage erreicht und wie viele fertige Chips den geforderten Standard erfüllen.

Für die Leserschaft von BTW markiert Samsungs DRAM-Plan für 2028 einen klaren Produktionsmeilenstein für High NA. Die größere Fotomaske folgt einem separaten Zeitplan, sodass Chiphersteller nicht auf den Abschluss dieser Arbeiten warten müssen, bevor sie die neuen Lithografiesysteme einsetzen.

Was zu beobachten ist

Zu beobachten sind Samsungs Fortschritte auf dem Weg zur DRAM-Großserienfertigung im Jahr 2028 sowie Fertigungsdaten dazu, welche Lithografieschritte High NA überflüssig macht. Das Programm für größere Masken sollte getrennt verfolgt werden, insbesondere die für 2031 geplante Pilotproduktion und der spätere Zeitplan für die Anlagen.