Samsung تدعم تقنية High NA من ASML لإنتاج DRAM على نطاق واسع في ٢٠٢٨

• تخطط Samsung لإدخال تقنية الطباعة الحجرية High NA من ASML في عمليات تصنيع ذاكرة DRAM على نطاق واسع اعتبارًا من ٢٠٢٨
• ستستخدم أنظمة الإنتاج الأولى تنسيق الأقنعة الحالي، بينما يُتوقع أن يستغرق برنامج منفصل للأقنعة الأكبر حجمًا عدة سنوات إضافية

الوقائع

تخطط Samsung لاستخدام تقنية High NA للطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية القصوى من ASML في تصنيع ذاكرة DRAM على نطاق واسع اعتبارًا من ٢٠٢٨، في وقت تستعد فيه شركات صناعة الرقائق لإدخال المعدات الأحدث إلى الإنتاج. وأفادت Reuters في ١٤ سبتمبر بالتزامات أوسع من العملاء تجاه التقنية، وقدّرت سعر نظام High NA بنحو ٤٠٠ مليون دولار، أي قرابة ضعف سعر أدوات EUV الحالية.

توفر تقنية High NA لشركات صناعة الرقائق دقة أعلى عند طباعة الأنماط على الرقاقات. وتعمل Samsung وASML أيضًا على قناع ضوئي أكبر بقياس ١٢ بوصة، يهدف إلى دعم مخططات رقائق أكبر وتقليل الحاجة إلى وصل مناطق مطبوعة كل منها على حدة. ولن يتزامن التطوران. ومن المتوقع أن تستخدم أنظمة الإنتاج الأولى القائمة على High NA تنسيق الأقنعة الحالي بقياس ست بوصات. وذكرت Reuters أن الإنتاج التجريبي باستخدام الأقنعة الأكبر مستهدف لعام ٢٠٣١، على أن تتبعه الأنظمة في ٢٠٣٣.

التقييم

سعر الجهاز مهم، لكن شركات صناعة الرقائق ستهتم أكثر بما يغيّره داخل المصنع. ويصبح تبرير استخدام تقنية High NA أسهل إذا أتاحت دقتها الأعلى في الطباعة الاستغناء عن خطوات إضافية في الطباعة الحجرية أو تبسيط عملية كانت ستتطلب عدة تمريرات.

ولا يزال يتعين إثبات ذلك على منتجات فعلية. فالمعدة التي يبلغ سعرها ٤٠٠ مليون دولار لا تصبح تلقائيًا أقل كلفة في الاستخدام لمجرد أنها أكثر تقدمًا. وستحتاج Samsung إلى معرفة عدد خطوات العملية التي يمكن حذفها، وحجم المخرجات القابلة للاستخدام التي يحققها الجهاز، وعدد الرقائق المكتملة التي تستوفي المعيار المطلوب.

لقراء BTW، تمثل خطة Samsung لإنتاج DRAM في ٢٠٢٨ محطة إنتاج واضحة لتقنية High NA. وللقناع الضوئي الأكبر جدول زمني منفصل، لذلك لا يتعين على شركات صناعة الرقائق انتظار اكتمال هذا العمل قبل أن تبدأ استخدام أنظمة الطباعة الحجرية الجديدة.

ما ينبغي متابعته

ينبغي متابعة تقدم Samsung نحو إنتاج DRAM على نطاق واسع في ٢٠٢٨، وأي بيانات تصنيع توضح خطوات الطباعة الحجرية التي تتيح تقنية High NA الاستغناء عنها. وينبغي تتبع برنامج الأقنعة الأكبر بصورة منفصلة، ولا سيما إنتاجه التجريبي المخطط له في ٢٠٣١ والجدول الزمني اللاحق للمعدات.