Résumé

  • Samsung prévoit d’introduire la lithographie High NA d’ASML dans la fabrication en grande série de DRAM à partir de 2028
  • Les premiers systèmes de production utiliseront le format de masque actuel, tandis qu’un programme distinct consacré à des masques de plus grand format devrait nécessiter encore plusieurs années

Les faits

Samsung prévoit d’utiliser la lithographie High NA d’ASML dans l’ultraviolet extrême (EUV) pour la fabrication en grande série de DRAM à partir de 2028, alors que les fabricants de puces se préparent à mettre ces nouveaux équipements en production. Reuters a fait état, le 14 septembre, d’engagements plus larges de la part des clients en faveur de cette technologie et a chiffré le prix d’un système High NA à environ 400 millions de dollars, soit près du double de celui des équipements EUV existants.

La technologie High NA offre aux fabricants de puces une résolution plus fine lors de l’impression de motifs sur les plaquettes. Samsung et ASML travaillent également sur un photomasque de plus grand format, d’une taille de 12 pouces, destiné à prendre en charge des configurations de puces plus vastes et à réduire la nécessité de raccorder entre elles des zones imprimées séparément.

Les deux évolutions ne suivront pas le même calendrier. Les premiers systèmes High NA destinés à la production devraient utiliser le format de masque existant de six pouces. Reuters a indiqué que la production pilote avec les masques de plus grand format était prévue pour 2031, les systèmes devant suivre en 2033.

L’analyse

Le prix de la machine compte, mais les fabricants de puces s’intéresseront davantage à ce qu’elle change dans l’usine. La technologie High NA sera plus facile à justifier si sa résolution plus fine permet d’éliminer des étapes de lithographie supplémentaires ou de simplifier un procédé qui nécessiterait autrement plusieurs passages.

Cela reste toutefois à démontrer sur des produits réels. Un équipement de 400 millions de dollars n’est pas automatiquement moins coûteux à exploiter simplement parce qu’il est plus avancé. Samsung devra déterminer combien d’étapes du procédé la machine peut supprimer, quel volume de production exploitable elle peut fournir et combien de puces finies répondent à la norme requise.

Pour les lecteurs de BTW, le plan de Samsung pour la production de DRAM en 2028 fixe un jalon de production clair pour la technologie High NA. Le photomasque de plus grand format suit un calendrier distinct: les fabricants de puces n’ont donc pas besoin d’attendre la fin de ces travaux avant de commencer à utiliser les nouveaux systèmes de lithographie.

À surveiller

Il faudra surveiller les progrès de Samsung vers la production en volume de DRAM en 2028, ainsi que toute donnée de fabrication montrant quelles étapes de lithographie la technologie High NA permet de supprimer. Le programme de masques de plus grand format devra être suivi séparément, en particulier sa production pilote prévue en 2031 et le calendrier ultérieur des équipements.