• サムスンは2028年から量産 DRAM 製造に ASML の High NA リソグラフィを導入する計画だ
  • 初期の生産装置は現行のマスク形式を使い、別途進められる大型マスクの開発にはさらに数年を要する見通しだ

事実

サムスンは、半導体各社が新型装置の量産導入を進めるなか、2028年から量産 DRAM 製造に ASML の High NA 極端紫外線（EUV）リソグラフィを使う計画だ。ロイターは9月14日、この技術に対する各社のより広い導入意向を報じ、High NA 装置1台の価格を約4億ドル、既存の EUV 装置の約2倍と伝えた。

High NA は、ウェハーにパターンを転写する際の解像度を高める。サムスンと ASML はまた、より大きなチップレイアウトに対応し、別々に転写した領域をつなぎ合わせる必要を減らすため、大型の12インチフォトマスクにも取り組んでいる。ただし、この二つの動きは同時に実現するわけではない。初期の High NA 生産装置は、現行の6インチマスク形式を使う見通しだ。ロイターによると、大型マスクを使ったパイロット生産は2031年が目標で、量産装置の導入はその後の2033年とされる。

評価

装置の価格は重要だが、半導体各社がより気にするのは、工場内で何が変わるかである。微細な転写によって余分なリソグラフィ工程を削除できる、あるいは複数回のパスを必要とする工程を簡素化できれば、High NA 導入の判断はしやすくなる。

とはいえ、これは実際の製品で証明されなければならない。4億ドルの装置は、高性能だからといって自動的に安く使えるわけではない。サムスンは、どれだけの工程を削減できるか、装置がどれだけの有効な出力を生み出すか、仕上がったチップのうち規格を満たすものがどれだけあるかを見極める必要がある。

BTW の読者にとって、サムスンの2028年 DRAM 計画は High NA に明確な量産の節目を与える。大型フォトマスクは別のスケジュールで進むため、半導体各社はその開発の完了を待たずに新型リソグラフィ装置の利用を始められる。

注視点

サムスンが2028年の量産 DRAM 生産に向けた取り組みをどこまで進めるか、また High NA がどのリソグラフィ工程を削減できるかを示す製造データに注目したい。大型マスクの開発は別個に追跡すべきであり、特に計画されている2031年のパイロット生産とその後の装置導入スケジュールが重要だ。