• 爱立信、萨博、SweGaN 和查尔姆斯理工大学合作研发 GaN-on-SiC 射频芯片
  • 项目目标是开发适用于厘米波 6G 频段的高效高容量放大器

事件：瑞典财团推进 6G 功率放大器技术

爱立信与萨博、SweGaN 以及查尔姆斯理工大学组建了研发联盟，共同探索面向未来 6G 网络的先进射频（RF）功率放大器架构。该项目由瑞典国家创新署Vinnova资助。该团队将利用 SweGaN 专有的 QuanFINE 架构，研究碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）的特性。这些材料具备宽禁带、高耐压和有效散热能力，非常适合高频、高能效放大器。研究将聚焦于厘米波（7–15 GHz）频谱，这对 6G 部署至关重要。工作分为两条并行的路线：一条是学术路线，建模效率和设计极限；另一条是工业路线，设计和制造原型进行验证。最终成果预计于 2027 年 8 月之前出炉，恰逢国际电联对 IMT-2030 技术进行评估以及同年的世界无线电通信大会之前。

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为何重要

该倡议融合了电信、国防和学术专业知识，旨在开发更高效、更强大的放大器技术，这对 6G 至关重要。GaN-on-SiC 有望使基站能够处理高强度计算负载，同时最大限度地减少能耗和热风险。早期原型可能定义低失真、高密度网络所需的电路设计。此次合作也凸显了瑞典在前沿基础设施领域跨行业合作的能力。到 2027 年，该项目旨在为新兴的 6G 标准贡献基础硬件解决方案。若成功，这些突破可能会影响全球供应商和运营商设计下一代网络架构的方式。