•Samsung 与 SK Hynix 将在韩国西南部建设四座晶圆厂
•SK 目标到 2035 年在国家协调推动下实现 15GW 数据中心容量
事实
韩国启动了“Korea Great Leap 3”计划，这是一个价值超过 5760 亿美元的国家投资框架，涵盖半导体、人工智能数据中心和物理人工智能。总统 Lee Jae Myung 在首尔公布了该计划，陪同出席的有 Samsung Electronics 会长 Lee Jae-yong 和 SK Group 会长 Chey Tae-won。
根据该计划，Samsung 和 SK Hynix 将各自在韩国西南部建设两座半导体制造厂——以 Samsung 已确认的光州厂址（原空军基地）为中心——将产能从电力及水资源基础设施接近饱和的首尔大都市圈转移出去。Samsung 已承诺国内长期投资 2655 万亿韩元，SK Hynix 承诺 2100 万亿韩元，政府承诺在电力、水资源、土地、基础设施和培养 7000 名 AI 芯片专家方面提供支持。
政府的目标是五年内将 DRAM 产能翻倍，并设定了人工智能数据中心投资目标：到 2029 年达 550 万亿韩元，到 2035 年增至超过 1000 万亿韩元，总容量目标为 18.4GW。仅 SK Group 就目标到 2035 年实现 15GW 的人工智能数据中心容量。
消息公布当天，Samsung Electronics 和 SK Hynix 股价分别下跌 4.86%和 1.68%。
评估分析
该计划标志着向国家协调模式的人工智能基础设施发展转变，半导体制造和数据中心容量被规划为一个统一的国家体系，而非独立的产业层级。将芯片生产、内存产出和 AI 计算基础设施整合进由产业政策主导的单一长期框架中，对于这个历来依赖财阀推动投资周期的市场而言，不同寻常。
韩国在全球 AI 供应链中的战略重新定位巩固了其在存储芯片——尤其是 HBM 和 DRAM——方面的领导地位，同时向下游计算基础设施延伸。从 BTW 的角度看，这很重要，因为 HBM 和 DRAM 是全球 AI 计算系统的物理层输入要素。当世界主要的存储芯片生产商通过国家政策协调产能扩张时，这直接影响全球 AI 供应约束的时间线。
执行风险仍与能源供应、水资源可用性、物流限制和熟练劳动力瓶颈挂钩——这些是行业专家已经指出的、在成熟产业集群之外建设全新晶圆厂的挑战。
需要关注
超大规模企业是否参与韩国的 AI 数据中心投资，电网审批能否跟上规划扩张的步伐，以及 DRAM 产能增长是否能与全球 AI 需求保持一致而不产生定价压力。