• 韩国检察官已起诉 10 人，其中包括一名前三星高管，涉嫌向中国芯片制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）泄露先进 DRAM 技术。
  • 检察官表示，泄露的半导体工艺帮助 CXMT 实现了 10 纳米 DRAM 的生产，巩固了其在人工智能计算关键的高带宽内存领域的地位。

事件经过：韩国就半导体泄露事件采取法律行动

韩国法律当局采取了不同寻常的举措，起诉了 10 人，他们涉嫌盗窃并将先进半导体制造技术转让给中国内存芯片制造商长鑫存储技术有限公司。检察官称此案是近年来最严重的工业技术泄露调查之一，突显了尖端芯片工艺的战略价值。

首尔中央地方检察厅宣布，10 名嫌疑人中有 5 人，包括一名前高管和三星电子的工程师，已被拘留，涉嫌违反韩国《产业技术保护法》。其余 5 人已被起诉但获保释。检察官表示，此案涉及非法转让给 CXMT 的 10 纳米 DRAM 制造工艺的详细专有信息。

根据起诉书，一名前三星研究人员在离职前往 CXMT 任职之前，手工抄录了该公司先进 DRAM 工艺的数百个步骤。这些手写笔记包括设备规格、工序顺序和良率优化技术，检察官指控这些随后被用于在 CXMT 设施中重建三星的制造流程。

检察官还表示，调查发现 CXMT 通过一家供应商获取了 SK 海力士的额外 DRAM 技术，加速了其生产尖端内存芯片的能力。CXMT 正计划在上海进行首次公开募股，估值约 420 亿美元，最近推出了新的 DDR5 DRAM 芯片，向韩国竞争对手发起挑战。

三星电子、SK 海力士和 CXMT 拒绝对指控置评。

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为何重要

此案凸显了全球半导体行业对工业间谍活动和知识产权保护的日益担忧。10 纳米 DRAM 和高带宽内存（HBM）等先进内存技术对人工智能、高性能计算和数据中心至关重要。韩国半导体产业在全球供应和经济产出中占很大份额，因此此类涉嫌泄露事件具有经济和国家安全双重影响。

对韩国而言，在获得国家投资支持的中国企业的激烈竞争中，保护本土半导体创新已成为政策优先事项。此次起诉正值全球各国政府考虑加强保护和出口管制以避免战略技术流失之际。与此同时，像 CXMT 这样的公司在涉嫌技术泄露的帮助下实现增长，突显了知识产权、地缘政治和全球芯片供应链之间的紧密联系。