• SK 海力士加速 3D DRAM 开发时间表
  • 公司开始模拟和晶圆级测试

发生了什么：SK 海力士启动下一代 DRAM 全面研发工作

SK 海力士已开始 3D DRAM 技术的开发。该公司确认目标是在 2026 年前开始量产。目前已启动电路模拟和晶圆级验证。该公司还透露了新型晶体管模型的工作。该模型可垂直堆叠超过 190 层。SK 海力士在夏威夷举行的2025 VLSI 研讨会上分享了其进展。并描述了使用新材料提高连接强度的计划。该研究旨在解决当前 DRAM 扩展的限制。

SK 海力士在 DRAM 技术领域处于领先地位。它是首家开发出 HBM3E 芯片和 1bnm 级 DDR5 的公司。现在它希望在 3D DRAM 领域取得领先，这可能会为未来人工智能和高性能计算提供动力。采用 3D DRAM，可以在更小的空间内容纳更多单元，从而提升速度并降低功耗。新型号还旨在实现更高的可靠性和成本效益。

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为何重要

3D DRAM 可能会改变存储行业。它超越了当前的扩展方法。SK 海力士希望引领这一转变。其研究可能影响行业设计趋势。

高密度存储有助于人工智能、数据中心和下一代设备。许多企业需要紧凑快速的存储来支持不断增长的数据负载。3D DRAM 可以解决当前的瓶颈问题。

这项工作展示了 SK 海力士的长期战略。它希望制造出能够处理更高带宽和更低功耗的存储。垂直堆叠的使用展现了新思维。该项目还可能提升韩国在半导体创新方面的优势。