- SK 海力士表示，它已成为首家量产超过 300 层 NAND 闪存的供应商，采用了一项突破性的堆叠工艺。
- 这款 321 层产品承诺提供更高的速度和能效，并瞄准人工智能应用和高密度存储市场。
发生了什么：NAND 量产新里程碑
韩国 SK 海力士已开始量产其321 层 3D NAND闪存，这标志着业界首次在商业化产品中堆叠超过 300 层 NAND——相比之前 238 层的记录实现了重大飞跃。
这项新技术采用了一种改进的“3 plugs”工艺，通过优化的制造步骤和创新的低应力材料连接多个垂直导体，以防止晶圆翘曲。这一堆叠突破有助于提高吞吐量和良率，同时减少与极高 NAND 结构相关的制造障碍。
与前代产品相比，321 层 NAND 的数据传输速度提高了约 12%，读取性能提升了 13%，同时能效增益超过 10%。
SK 海力士计划从明年上半年开始向客户供应这些产品，应用范围从数据中心的高容量固态硬盘（SSD）到为下一代人工智能系统提供数据支持的存储设备。
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为何重要
随着人工智能、云计算和大数据工作负载推动了对更快处理速度以及更高密度、更高效存储的需求，内存需求正急剧上升。高层 NAND 堆叠通过在单位面积内集成更多存储单元，而不导致成本或功耗成比例增加，有助于实现这一目标。
SK 海力士的成就不仅加强了其相对于三星、美光等竞争对手的竞争地位，还突显了存储制造商如何超越传统微缩限制进行创新，以支持不断增长的数据密集型应用。
新一代 NAND可能有助于缓解影响半导体行业的全球存储供应短缺问题，部分原因在于产能向 AI 相关产品的倾斜分配。
随着基于 321 层架构的 SSD 的推出，企业和云提供商将受益于存储密度和效率的提升，这对于降低每 TB 成本以及大规模赋能下一代 AI 工作负载至关重要。