- 据传 Samsung 在其 HBM 芯片生产中使用 MUF 技术。
- 然而,Samsung 否认使用 MUF 技术,称其为谣言。
据传 Samsung 在其 HBM 芯片生产中使用 MUF 技术。然而,Samsung 否认使用 MUF 技术,称其为谣言。
Samsung 据称使用其竞争对手青睐的芯片制造技术
由于生成式人工智能的持续流行,对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增。在此背景下,Samsung Electronics 计划采用其竞争对手青睐的芯片制造技术SK Hynix。
据分析师和行业专家称,Samsung 落后的一个原因是其持续使用一种称为非导电薄膜(NCF)的芯片制造技术,这导致了一些生产问题。相比之下,Hynix 通过采用批量回流模制底部填充(MR-MUF)方法解决了 NCF 的弱点。
“Samsung 必须采取措施提高其 HBM 生产良率……采用 MUF 技术对 Samsung 来说有点咽下骄傲之举,因为它最终沿用了 SK Hynix 率先使用的技术,”一位消息人士表示。
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Samsung 否认其将使用 MUF 的传闻
据分析师称,Samsung 的 HBM3 生产良率据报道仅约 10-20%,落后于 Hynix,后者的芯片生产率稳定在约 60-70%。然而,Samsung 否认了这一估计数据,并声称已获得“稳定的良率”。
就目前而言,Samsung 的 NCF 技术是将用于新型 HBM3E 芯片的 HBM 产品的“最佳解决方案”。“我们正按计划推进 HBM3E 产品业务,”Samsung 在回应路透社就该文章的提问时表示。然而,在该文章发布后,Samsung 声明:“关于 Samsung 将在其 HBM 生产中应用 MR-MUF 的谣言是不实的。”

