• SK Hynix утверждает, что стал первым производителем, начавшим серийное производство flash-памяти NAND с более чем 300 слоями, благодаря революционной технологии укладки слоёв.
  • Продукт с 321 слоем обещает более высокую скорость и энергоэффективность и предназначен для приложений ИИ и рынков высокоплотных накопителей.

Что произошло: новый этап в производстве NAND

Южнокорейская компания SK Hynix начала серийное производство своей 3D NAND flash-памяти с 321 слоем, что впервые в отрасли позволяет уложить более 300 слоёв NAND в коммерческий продукт — значительный скачок по сравнению с прежним рекордом компании в 238 слоёв.

Новая технология использует усовершенствованный процесс «3 plugs», который соединяет несколько вертикальных проводников с помощью оптимизированных этапов производства и инновационных низконапряжённых материалов, чтобы избежать деформации пластин. Этот прорыв в укладке слоёв повышает производительность и выход годных изделий, снижая производственные сложности, связанные с чрезвычайно высокими структурами NAND.

По сравнению с предшественником, NAND с 321 слоем обеспечивает примерно на 12 % более высокую скорость передачи данных, на 13 % лучшую производительность чтения и более чем на 10 % большую энергоэффективность.

SK Hynix планирует начать поставки этих продуктов клиентам в первом полугодии следующего года. Применения — от высокоёмких SSD для дата-центров до накопителей для систем ИИ нового поколения.

Читайте также:SK Hynix вложит почти 13 млрд долларов в завод по передовой упаковке памяти для ИИ в Южной Корее
Читайте также:SK Hynix наращивает мощности по упаковке чипов в Южной Корее

Почему это важно

Спрос на память резко растёт: искусственный интеллект, облачные вычисления и большие данные требуют не только более быстрой обработки, но и более плотного и эффективного хранения. Многослойные структуры NAND помогают решить эту задачу, позволяя разместить больше ячеек памяти на единицу площади без пропорционального роста стоимости или энергопотребления.

Успех SK Hynix не только укрепляет её конкурентные позиции в борьбе с такими соперниками, как Samsung и Micron, но и показывает, как производители памяти выходят за пределы традиционных методов масштабирования, чтобы поддерживать всё более требовательные к данным приложения.

Новое поколение NANDможет помочь частично решить глобальный дефицит памяти, затронувший полупроводниковую отрасль, отчасти из-за перераспределения мощностей в пользу продуктов для ИИ.

По мере распространения SSD на архитектуре с 321 слоем компании и облачные провайдеры смогут получить более высокую плотность и эффективность хранения — это важно для снижения стоимости терабайта и поддержки крупномасштабных рабочих нагрузок ИИ нового поколения.