• SK hynix accélère le calendrier de développement de la DRAM 3D
  • L'entreprise lance les simulations et les tests au niveau des wafers

Ce qui s’est passé: SK hynix lance le développement à grande échelle de la DRAM de nouvelle génération

SK hynix a commencé le développement de sa technologie DRAM 3D. L'entreprise a confirmé que l'objectif est de démarrer la production de masse d'ici 2026. Elle a désormais entamé les simulations de circuits et la vérification au niveau des wafers. La société a également révélé des travaux sur un nouveau modèle de transistor. Ce modèle peut empiler plus de 190 couches verticalement. SK hynix a partagé ses progrès au Symposium VLSI 2025 à Hawaï. Elle a décrit son intention d'utiliser de nouveaux matériaux pour améliorer la résistance des connexions. La recherche vise à résoudre les limites de la mise à l'échelle actuelle de la DRAM.

SK hynix est en tête dans le domaine de la technologie DRAM. Elle a été la première entreprise à développer des puces HBM3E et des DDR5 de classe 1bnm. Elle espère maintenant prendre une longueur d'avance sur la DRAM 3D, qui pourrait alimenter l'IA et le calcul haute performance du futur. Avec la DRAM 3D, on peut placer plus de cellules dans un espace réduit. Cela augmente la vitesse et réduit la consommation d'énergie. Le nouveau modèle vise également une meilleure fiabilité et un meilleur rapport coût/efficacité. Voir aussi: IPv4.Global remporte le prix d'or du mérite pour les services télécoms.

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Pourquoi c’est important

La DRAM 3D peut changer l'industrie de la mémoire. Elle va au-delà des méthodes de mise à l'échelle actuelles. SK hynix veut prendre la tête de cette transition. Ses recherches pourraient influencer les tendances de conception de l'industrie. Voir aussi: Ziggo Group nomme ses dirigeants avant l'introduction en Bourse à Amsterdam en 2027.

La mémoire haute densité est utile pour l'IA, les centres de données et les appareils de nouvelle génération. De nombreuses entreprises ont besoin d'une mémoire compacte et rapide pour supporter des charges de données croissantes. La DRAM 3D peut résoudre les goulots d'étranglement actuels. Voir aussi: Pourquoi les CFO, pas seulement les CTO, devraient se soucier de leur inventaire IP.

Ce travail montre la stratégie à long terme de SK hynix. Elle veut créer une mémoire capable de gérer une bande passante plus élevée et une consommation d'énergie réduite. L'utilisation de l'empilement vertical témoigne d'une nouvelle réflexion. Le projet pourrait également renforcer l'avantage de la Corée du Sud dans l'innovation des semi-conducteurs. Voir aussi: L'avenir des adresses IP comme classe d'actifs reconnue.