- SK Hynix affirme être devenu le premier fournisseur à produire en série une mémoire flash NAND avec plus de 300 couches empilées, grâce à un procédé d’empilement révolutionnaire.
- Le produit 321 couches promet une vitesse et une efficacité énergétique accrues, et est destiné aux applications d’IA et aux marchés du stockage haute densité.
Que s’est-il passé: nouveau jalon NAND en production
Le sud-coréen SK Hynix a commencé la production en série de sa mémoire flash NAND 3D 321 couches , marquant la première fois dans l’industrie que plus de 300 couches de NAND sont empilées dans un produit commercialisé — un bond majeur par rapport à son précédent record de 238 couches.
La nouvelle technologie utilise un procédé perfectionné « 3 plugs » qui connecte plusieurs conducteurs verticaux via des étapes de fabrication optimisées et des matériaux innovants à faible contrainte pour éviter le gauchissement des plaquettes. Cette percée d’empilement contribue à augmenter le débit et le rendement tout en réduisant les obstacles de fabrication liés aux structures NAND extrêmement hautes.
Par rapport à son prédécesseur, la NAND 321 couches offre une amélioration d’environ 12 % de la vitesse de transfert des données et une augmentation de 13 % des performances en lecture, ainsi qu’un gain de plus de 10 % en efficacité énergétique.
SK Hynix prévoit de fournir ces produits à ses clients à partir du premier semestre de l’année prochaine, avec des applications allant des disques SSD haute capacité pour centres de données au stockage alimentant les systèmes d’IA de nouvelle génération.
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Pourquoi c’est important
La demande de mémoire augmente fortement alors que l’intelligence artificielle, le cloud computing et les mégadonnées nécessitent non seulement un traitement plus rapide, mais aussi un stockage plus dense et plus efficace. Les empilements NAND à couches élevées y contribuent en permettant d’intégrer plus de cellules mémoire par unité de surface sans augmentation proportionnelle du coût ou de la consommation d’énergie.
La réussite de SK Hynix renforce non seulement sa position concurrentielle face à des rivaux tels que Samsung et Micron, mais souligne également comment les fabricants de mémoire innovent au-delà des limites de mise à l’échelle conventionnelles pour soutenir les applications toujours plus gourmandes en données.
La nouvelle génération de NAND pourrait contribuer à résoudre une partie de la pénurie mondiale d’approvisionnement en mémoire qui a affecté le secteur des semi-conducteurs, en partie due à l’allocation de capacités vers des produits axés sur l’IA.
À mesure que les SSD basés sur l’architecture 321 couches seront déployés, les entreprises et les fournisseurs de cloud pourraient bénéficier d’une densité et d’une efficacité de stockage améliorées, essentielles pour réduire les coûts par téraoctet et permettre des charges de travail d’IA de nouvelle génération à grande échelle.