• Со-генеральный директор Samsung Electronics Ке Хён Кён объявил на ежегодном общем собрании акционеров, что компания ожидает, что выручка её бизнеса по упаковке передовых чипов превысит 100 миллионов долларов в этом году.
  • Samsung разработала HBM3E 12H — микросхему памяти с высокой пропускной способностью самой большой ёмкости, стремясь сохранить конкурентное преимущество на рынке высококлассных чипов памяти на фоне растущего спроса на искусственный интеллект.
  • Кроме того, Samsung планирует запустить HBM4 в 2025 году с индивидуальными конструкциями и сосредоточивается на разработке других продуктов памяти, таких как CXL и PIM, для приложений ИИ.

Со-генеральный директорКе Хён КёнизSamsung Electronicsзаявил на ежегодном общем собрании акционеров, состоявшемся в среду, что выручка бизнеса компании по упаковке передовых чипов должна достичь или превысить 100 миллионов долларов в этом году. Samsung Electronics создала подразделение по упаковке передовых чипов в прошлом году и ожидает конкретных результатов от инвестиций компании со второго полугодия этого года.

Читайте также:Мировые тенденции патентов: Huawei, Samsung и Qualcomm лидируют, Индия на подъёме

Смотрите также:Видео: Чего ожидать от «пионерского» кольца Galaxy от Samsung?

Бизнес по производству чипов памяти нацелен на большую долю прибыли

Ке Хён Кён также упомянул, что цель бизнеса Samsung Electronics по производству чипов памяти в этом году — получать большую долю прибыли, чем доля рынка. По данным поставщика данных TrendForce, в четвёртом квартале прошлого года Samsung Electronics занимала 45,5 % рынка DRAM-чипов для технологических устройств.

Сообщается, что Samsung Electronics объявила в конце февраля о разработке самой ёмкой на сегодняшний день микросхемы памяти с высокой пропускной способностью (HBM). Компания заявила, что новейший продуктHBM3E 12Hобъединяет до 12 слоёв DRAM-чипов HBM3E, что делает его самым ёмким продуктом HBM на сегодняшний день. HBM3E 12H поддерживает максимальную пропускную способность 1280 ГБ/с, а ёмкость продукта достигла 36 ГБ; по сравнению с 8-слойной HBM3 8H от Samsung Electronics, HBM3E 12H увеличила пропускную способность и ёмкость более чем на 50 %.

Samsung Electronics начала поставлять образцы HBM3E 12H

Samsung Electronics начала предоставлять клиентам образцы HBM3E 12H и планирует начать массовое производство продукта в первом полугодии этого года, чтобы обеспечить конкурентное преимущество компании в секторе высококлассных чипов памяти на фоне растущего спроса на искусственный интеллект.

Ке Хён Кён упомянул, что продукт HBM нового поколения — HBM4 — может быть выпущен в 2025 году с более индивидуальными конструкциями. Samsung Electronics воспользуется преимуществом интеграции производства чипов памяти, контрактного производства чипов и проектирования чипов, чтобы удовлетворить запросы клиентов.

Отвечая на вопросы акционеров о недавних неудачах Samsung Electronics на текущем рынке HBM по сравнению с конкурентом SK Hynix, Ке Хён Кён заявил: «Мы лучше подготовились, чтобы такие ситуации не повторились в будущем».

Ке Хён Кён также добавил: «Samsung Electronics надеется в ближайшее время добиться ощутимых результатов с другими разрабатываемыми продуктами памяти для искусственного интеллекта, такими какCompute Express Link (CXL)иProcessing in Memory (PIM)».