- El co-CEO de Samsung Electronics, Kye-Hyun Kyung, anunció en la junta anual de accionistas que la compañía prevé que los ingresos de su negocio de empaquetado avanzado de chips superen los 100 millones de dólares este año.
- Samsung ha desarrollado HBM3E 12H, el chip de memoria de alto ancho de banda con la mayor capacidad, con el objetivo de mantener su ventaja competitiva en el mercado de chips de almacenamiento de alta gama en medio de la creciente demanda de inteligencia artificial.
- Además, Samsung planea lanzar HBM4 en 2025 con diseños personalizados y se centra en desarrollar otros productos de memoria como CXL y PIM para aplicaciones de IA.
El co-CEOKye-Hyun KyungdeSamsung Electronicsdeclaró en la junta anual de accionistas celebrada el miércoles que se espera que los ingresos del negocio de empaquetado avanzado de chips de la compañía alcancen o superen los 100 millones de dólares este año. Samsung Electronics estableció la unidad de negocio de empaquetado avanzado de chips el año pasado y prevé resultados reales de las inversiones de la compañía a partir de la segunda mitad de este año.
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El negocio de chips de memoria apunta a lograr una mayor cuota de beneficios
Kye-Hyun Kyung también mencionó que el objetivo del negocio de chips de memoria de Samsung Electronics este año es lograr una cuota de beneficios mayor que su cuota de mercado. Según datos del proveedor de datos TrendForce, Samsung Electronics tenía una cuota de mercado del 45,5% en el mercado de chips DRAM para dispositivos tecnológicos en el cuarto trimestre del año pasado.
Se informa que Samsung Electronics anunció a finales de febrero que ha desarrollado el nuevo chip de memoria de alto ancho de banda (HBM) de mayor capacidad de la industria hasta la fecha. Samsung Electronics declaró que el último productoHBM3E 12Hapila chips DRAM HBM3E hasta en 12 capas, lo que lo convierte en el producto HBM de mayor capacidad hasta el momento. HBM3E 12H admite un ancho de banda máximo de 1280 GB/s las 24 horas, y la capacidad del producto también ha alcanzado los 36 GB; en comparación con el HBM3 8H de Samsung Electronics, que tiene 8 capas, HBM3E 12H ha aumentado significativamente el ancho de banda y la capacidad en más del 50%.
Samsung Electronics ha comenzado a proporcionar muestras de HBM3E 12H
Samsung Electronics ha comenzado a proporcionar muestras de HBM3E 12H a los clientes y planea producir en masa el producto en la primera mitad de este año para asegurar la ventaja competitiva de la compañía en el sector de chips de almacenamiento de alta gama en medio de la demanda de inteligencia artificial que aumenta rápidamente.
Kye-Hyun Kyung mencionó que la próxima generación de producto HBM, HBM4, podría lanzarse en 2025 con diseños más personalizados. Samsung Electronics aprovechará la ventaja de integrar los negocios de chips de memoria, fundición de chips y diseño de chips para satisfacer las demandas de los clientes.
En respuesta a las consultas de los accionistas sobre los reveses recientes que Samsung Electronics encontró en el mercado actual de HBM en comparación con su competidor SK Hynix, Kye-Hyun Kyung declaró: “Nos hemos preparado mejor para evitar que ocurran tales cosas en el futuro”.
Kye-Hyun Kyung también añadió: “Samsung Electronics espera lograr resultados tangibles pronto con otros productos de memoria para inteligencia artificial en desarrollo, comoCompute Express Link (CXL)yProcessing in Memory (PIM)”.
