Samsung Electronics avisiert Umsatz von über 100 Mio. US-Dollar für fortschrittliche Chip-Verpackung

Samsung Electronics avisiert Umsatz von über 100 Mio. US-Dollar für fortschrittliche Chip-Verpackung wird von BTW Media profiliert, weil veröffentlichte Belege eine Verbindung zu Internetinfrastruktur, Governance, operativen Abhängigkeiten oder Marktsichtbarkeit herstellen.

• Der Co-CEO von Samsung Electronics, Kye-Hyun Kyung, gab auf der jährlichen Hauptversammlung bekannt, dass das Unternehmen für dieses Jahr mit einem Umsatz von über 100 Millionen US-Dollar aus seinem fortschrittlichen Chip-Verpackungsgeschäft rechnet.
• Samsung hat den HBM3E 12H entwickelt, den hochkapazitiven Speicherchip mit hoher Bandbreite, um den Wettbewerbsvorteil auf dem High-End-Speicherchipmarkt angesichts der steigenden Nachfrage nach künstlicher Intelligenz zu halten.
• Darüber hinaus plant Samsung, den HBM4 im Jahr 2025 mit kundenspezifischen Designs auf den Markt zu bringen und konzentriert sich auf die Entwicklung anderer Speicherprodukte wie CXL und PIM für KI-Anwendungen.

Der Co-CEOKye-Hyun KyungvonSamsung Electronicserklärte auf der am Mittwoch stattgefundenen jährlichen Hauptversammlung, dass der Umsatz des fortschrittlichen Chip-Verpackungsgeschäfts des Unternehmens in diesem Jahr voraussichtlich 100 Millionen US-Dollar erreichen oder übersteigen wird. Samsung Electronics hat die Chip-Verpackungssparte letztes Jahr gegründet und erwartet ab der zweiten Jahreshälfte konkrete Ergebnisse aus den Investitionen.

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Speicherchip-Geschäft strebt höheren Gewinnanteil an

Kye-Hyun Kyung erwähnte auch, dass das Ziel für das Speicherchip-Geschäft von Samsung Electronics in diesem Jahr darin besteht, einen größeren Gewinnanteil als den Marktanteil zu erzielen. Laut Daten des Datenanbieters TrendForce hielt Samsung Electronics im vierten Quartal des letzten Jahres einen Marktanteil von 45,5 % auf dem Markt für DRAM-Chips für technische Geräte.

Es wird berichtet, dass Samsung Electronics Ende Februar angekündigt hat, den bisher branchenweit hochkapazitivsten Speicherchip mit hoher Bandbreite (HBM) entwickelt zu haben. Samsung Electronics erklärte, dass das neueste ProduktHBM3E 12HHBM3E-DRAM-Chips in bis zu 12 Schichten stapelt, was es zum bisher hochkapazitivsten HBM-Produkt macht. Der HBM3E 12H unterstützt eine maximale Bandbreite von 1280 GB/s kontinuierlich, und die Kapazität des Produkts erreicht 36 GB; im Vergleich zum 8-schichtigen HBM3 8H von Samsung Electronics hat der HBM3E 12H Bandbreite und Kapazität um über 50 % erhöht.

Samsung Electronics hat mit der Lieferung von HBM3E 12H-Mustern begonnen

Samsung Electronics hat begonnen, Muster des HBM3E 12H an Kunden zu liefern und plant, das Produkt in der ersten Jahreshälfte in Massenproduktion zu nehmen, um den Wettbewerbsvorteil im High-End-Speicherchipsektor angesichts der steigenden Nachfrage nach künstlicher Intelligenz zu sichern.

Kye-Hyun Kyung sagte, dass das nächste HBM-Produkt – HBM4 – möglicherweise im Jahr 2025 mit stärker individualisierten Designs auf den Markt kommt. Samsung Electronics werde den Vorteil der Integration von Speicherchip-, Foundry- und Chipdesign-Geschäften nutzen, um Kundenanforderungen zu erfüllen.

Auf Aktionärsfragen zu den jüngsten Rückschlägen von Samsung Electronics auf dem aktuellen HBM-Markt im Vergleich zum Konkurrenten SK Hynix antwortete Kye-Hyun Kyung: „Wir sind besser vorbereitet, um solche Situationen in Zukunft zu vermeiden.“

Kye-Hyun Kyung fügte hinzu: „Samsung Electronics hofft, bald konkrete Ergebnisse mit anderen in Entwicklung befindlichen Speicherprodukten für künstliche Intelligenz wieCompute Express Link (CXL)undProcessing in Memory (PIM)erzielen zu können.“