• O co-CEO da Samsung Electronics, Kye-Hyun Kyung, anunciou na assembleia geral anual de acionistas que a empresa espera que a receita de seu negócio de embalagem avançada de chips ultrapasse US$ 100 milhões este ano.
  • A Samsung desenvolveu a HBM3E 12H, o chip de memória de alta largura de banda de maior capacidade, visando manter sua vantagem competitiva no mercado de chips de armazenamento de alto padrão em meio à crescente demanda por inteligência artificial.
  • Além disso, a Samsung planeja lançar a HBM4 em 2025 com designs personalizados e está focada no desenvolvimento de outros produtos de memória, como CXL e PIM, para aplicações de IA.

O co-CEOKye-Hyun KyungdaSamsung Electronicsdeclarou na assembleia geral anual de acionistas realizada na quarta-feira que a receita do negócio de embalagem avançada de chips da empresa deverá atingir ou ultrapassar US$ 100 milhões este ano. A Samsung Electronics criou a unidade de negócios de embalagem avançada de chips no ano passado e espera resultados concretos dos investimentos da empresa a partir do segundo semestre deste ano.

Leia também:Tendências globais de patentes: Huawei, Samsung e Qualcomm lideram, Índia em ascensão

Veja também:Vídeo: O que esperar do 'pioneiro' anel Galaxy da Samsung?

Negócio de chips de memória visa maior participação nos lucros

Kye-Hyun Kyung também mencionou que o objetivo para o negócio de chips de memória da Samsung Electronics este ano é obter uma participação nos lucros maior do que sua participação de mercado. De acordo com dados do provedor de dados TrendForce, a Samsung Electronics detinha uma participação de mercado de 45,5% no mercado de chips DRAM para dispositivos tecnológicos no quarto trimestre do ano passado.

É relatado que a Samsung Electronics anunciou no final de fevereiro que desenvolveu o chip de memória de alta largura de banda (HBM) de maior capacidade da indústria até o momento. A Samsung Electronics afirmou que o mais novo produtoHBM3E 12Hempilha chips DRAM HBM3E em até 12 camadas, tornando-o o produto HBM de maior capacidade até hoje. O HBM3E 12H suporta uma largura de banda máxima de 1280 GB/s contínua, e a capacidade do produto também atingiu 36 GB; em comparação com o HBM3 8H de 8 camadas da Samsung Electronics, o HBM3E 12H aumentou a largura de banda e a capacidade em mais de 50%.

Samsung Electronics começou a fornecer amostras de HBM3E 12H

A Samsung Electronics começou a fornecer amostras do HBM3E 12H aos seus clientes e planeja produzir o produto em massa no primeiro semestre deste ano para garantir a vantagem competitiva da empresa no setor de chips de armazenamento de alto padrão diante da crescente demanda por inteligência artificial.

Kye-Hyun Kyung mencionou que o produto HBM de próxima geração – HBM4 – poderá ser lançado em 2025 com designs mais personalizados. A Samsung Electronics aproveitará a vantagem de integrar as atividades de chips de memória, fundição de chips e design de chips para atender às demandas dos clientes.

Em resposta a perguntas de acionistas sobre os recentes reveses enfrentados pela Samsung Electronics no mercado atual de HBM em relação ao seu concorrente SK Hynix, Kye-Hyun Kyung declarou: « Nos preparamos melhor para evitar que tais situações se repitam no futuro. »

Kye-Hyun Kyung também acrescentou: « A Samsung Electronics espera obter resultados tangíveis em breve com outros produtos de memória para inteligência artificial em desenvolvimento, comoCompute Express Link (CXL)eProcessing in Memory (PIM). »