- SK hynix ускоряет график разработки 3D DRAM
- Компания приступает к моделированию и тестам на уровне пластин
Что произошло:SK hynix приступает к масштабной разработке DRAM нового поколения
SK hynixприступила к разработке технологии 3D DRAM. Компания подтвердила, что планирует начать массовое производство к 2026 году, и уже начала моделирование схем и проверки на уровне пластин. Также она сообщила о работе над новой моделью транзистора, которая позволяет вертикально укладывать более 190 слоёв. SK hynix представила свои достижения наSymposium VLSI 2025на Гавайях и рассказала о планах использовать новые материалы для повышения устойчивости соединений. Исследование направлено на устранение ограничений современного масштабирования DRAM.
SK hynix занимает лидирующие позиции в области технологии DRAM. Компания первой разработала чипы HBM3E и DDR5 класса 1bnm. Теперь она рассчитывает получить преимущество в 3D DRAM, которая может лечь в основу будущих систем ИИ и высокопроизводительных вычислений. Благодаря 3D DRAM на меньшей площади можно разместить больше ячеек. Это повышает скорость и снижает энергопотребление. Новая модель также нацелена на лучшую надёжность и более выгодное соотношение цены и эффективности.
Читайте также:SK Group строит дата-центр в Ульсане для ИИ-инфраструктуры AWS
Читайте также:Утечка в SK Telecom показала многолетнее внедрение вредоносного ПО
Почему это важно
3D DRAM может изменить индустрию памяти. Эта технология выходит за рамки нынешних методов масштабирования. SK hynix хочет возглавить этот переход. Её исследования могут повлиять на отраслевые тенденции в проектировании.
Память высокой плотности полезна для ИИ, дата-центров и устройств нового поколения. Многим компаниям нужна компактная и быстрая память, способная справляться с растущими объёмами данных. 3D DRAM может устранить нынешние узкие места.
Эта работа отражает долгосрочную стратегию SK hynix. Компания стремится создать память, обеспечивающую более высокую пропускную способность и сниженное энергопотребление. Использование вертикальной укладки говорит о новом подходе к проектированию. Проект также может укрепить позиции Южной Кореи в инновациях в сфере полупроводников.