• SK hynix acelera o cronograma de desenvolvimento da DRAM 3D
  • A empresa inicia simulações e testes em nível de wafer

O que aconteceu:SK hynix inicia o desenvolvimento em larga escala da DRAM de nova geração

SK hynixiniciou o desenvolvimento de sua tecnologia DRAM 3D. A empresa confirmou que o objetivo é iniciar a produção em massa até 2026. Ela já começou as simulações de circuitos e a verificação em nível de wafer. A empresa também revelou trabalhos em um novo modelo de transistor. Esse modelo pode empilhar mais de 190 camadas verticalmente. A SK hynix compartilhou seu progresso noSymposium VLSI 2025no Havaí. Ela descreveu sua intenção de usar novos materiais para melhorar a resistência das conexões. A pesquisa visa resolver os limites da atual escala da DRAM.

A SK hynix está na vanguarda da tecnologia DRAM. Ela foi a primeira empresa a desenvolver chips HBM3E e DDR5 de classe 1bnm. Agora espera obter vantagem na DRAM 3D, que pode alimentar a IA e a computação de alto desempenho no futuro. Com a DRAM 3D, é possível colocar mais células em um espaço reduzido. Isso aumenta a velocidade e reduz o consumo de energia. O novo modelo também visa melhor confiabilidade e melhor relação custo-benefício.

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Por que isso é importante

A DRAM 3D pode mudar a indústria de memória. Ela vai além dos métodos atuais de escalabilidade. A SK hynix quer liderar essa transição. Suas pesquisas podem influenciar as tendências de design da indústria.

A memória de alta densidade é útil para IA, data centers e dispositivos de nova geração. Muitas empresas precisam de memória compacta e rápida para suportar cargas de dados crescentes. A DRAM 3D pode resolver os gargalos atuais.

Este trabalho mostra a estratégia de longo prazo da SK hynix. Ela quer criar memória capaz de gerenciar maior largura de banda e consumo de energia reduzido. O uso do empilhamento vertical demonstra um novo pensamento. O projeto também pode fortalecer a vantagem da Coreia do Sul na inovação de semicondutores.