• SK hynix acelera el cronograma de desarrollo de DRAM 3D
  • La empresa inicia simulación y pruebas a nivel de oblea

Qué sucedió: SK hynix lanza trabajo a gran escala en DRAM de próxima generación

SK hynix ha comenzado el desarrollo de su tecnología DRAM 3D. La empresa confirmó que el objetivo es iniciar la producción en masa para 2026. Ya ha iniciado la simulación de circuitos y la verificación a nivel de oblea. La firma también reveló el trabajo en un nuevo modelo de transistor. Este modelo puede apilar más de 190 capas verticalmente. SK hynix compartió su progreso en el Simposio VLSI 2025 en Hawái. Describió planes para usar nuevos materiales para mejorar la resistencia de la conexión. La investigación tiene como objetivo abordar los límites en el escalado actual de DRAM.

SK hynix lidera el campo en tecnología DRAM. Fue la primera empresa en desarrollar chips HBM3E y DDR5 de clase 1b nm. Ahora espera asegurar un liderazgo en DRAM 3D, que podría impulsar la futura IA y la computación de alto rendimiento. Con DRAM 3D, más celdas pueden caber en un espacio más pequeño. Esto aumenta la velocidad y reduce el consumo de energía. El nuevo modelo también busca una mejor confiabilidad y rentabilidad.

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Por qué es importante

La DRAM 3D puede cambiar la industria de la memoria. Va más allá de los métodos de escalado actuales. SK hynix quiere liderar este cambio. Su investigación puede influir en las tendencias de diseño de la industria.

La memoria de alta densidad ayuda a la IA, los centros de datos y los dispositivos de próxima generación. Muchas empresas necesitan memoria compacta y rápida para soportar cargas de datos crecientes. La DRAM 3D puede resolver los cuellos de botella actuales.

Este trabajo muestra la estrategia a largo plazo de SK hynix. Quiere crear memoria que maneje mayor ancho de banda y menor consumo de energía. El uso de apilamiento vertical muestra un nuevo pensamiento. El proyecto también podría aumentar la ventaja de Corea del Sur en innovación de semiconductores.