• SK Hynix afirma haberse convertido en el primer proveedor en producir en masa memoria flash NAND con más de 300 capas apiladas, utilizando un innovador proceso de apilamiento.
  • El producto de 321 capas promete mayor velocidad y eficiencia energética y está dirigido a aplicaciones de IA y mercados de almacenamiento de alta densidad.

Qué pasó: nuevo hito de NAND en producción

La surcoreana SK Hynix ha iniciado la producción en masa de su memoria flash NAND 3D de 321 capas, lo que marca la primera vez en la industria que se apilan más de 300 capas de NAND en un producto producido comercialmente, un gran salto desde su récord anterior de 238 capas.

La nueva tecnología utiliza un proceso refinado de "3 plugs" que conecta múltiples conductores verticales mediante pasos de fabricación optimizados y materiales innovadores de bajo estrés para evitar la deformación de las obleas. Este avance en el apilamiento ayuda a aumentar el rendimiento y la productividad, al tiempo que reduce los obstáculos de fabricación asociados con estructuras NAND extremadamente altas.

En comparación con su predecesor, la NAND de 321 capas ofrece aproximadamente una mejora del 12 por ciento en la velocidad de transferencia de datos y un aumento del 13 por ciento en el rendimiento de lectura, junto con una ganancia de más del 10 por ciento en eficiencia energética.

SK Hynix planea suministrar estos productos a los clientes a partir de la primera mitad del próximo año, con aplicaciones que van desde unidades de estado sólido (SSD) de alta capacidad para centros de datos hasta almacenamiento para sistemas de IA de próxima generación.

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Por qué es importante

La demanda de memoria está aumentando considerablemente a medida que las cargas de trabajo de inteligencia artificial, computación en la nube y big data impulsan la necesidad no solo de un procesamiento más rápido, sino de un almacenamiento más denso y eficiente. Los apilamientos de NAND de capas altas ayudan a lograrlo al permitir más celdas de memoria por unidad de área sin aumentos proporcionales en costo o consumo de energía.

El logro de SK Hynix no solo fortalece su posición competitiva frente a rivales como Samsung y Micron, sino que también destaca cómo los fabricantes de memoria están innovando más allá de los límites de escala convencionales para respaldar las crecientes aplicaciones de datos intensivos.

La nueva generación de NAND puede ayudar a abordar parte de la escasez mundial de suministro de memoria que ha afectado al sector de semiconductores, impulsada en parte por la asignación de capacidad hacia productos centrados en la IA.

A medida que se implementen los SSD basados en la arquitectura de 321 capas, las empresas y los proveedores de nube podrían beneficiarse de una mayor densidad y eficiencia de almacenamiento, claves para reducir los costos por terabyte y permitir cargas de trabajo de IA de próxima generación a escala.