• Ericsson、Saab、SweGaN、Chalmers 大学が GaN-on-SiC RF チップで協業
  • プロジェクトは、6G cmWave 帯域向けの高効率・大容量アンプを目指す

出来事:スウェーデンのコンソーシアムが 6G 対応パワーアンプ技術を前進させる

Ericssonは、Saab、SweGaN、Chalmers 大学と研究開発アライアンスを結成し、将来の 6G ネットワーク向けの高度な無線周波数（RF）パワーアンプアーキテクチャを探求する。このコラボレーションは、スウェーデンのイノベーション庁であるVinnovaから資金提供を受けている。研究グループは、SweGaN の独自アーキテクチャ QuanFINE を用いて、窒化ガリウム・オン・シリコンカーバイド（GaN-on-SiC）の特性を調査する。これらの材料は、広いバンドギャップ、高電圧耐性、効率的な熱放散を提供し、高周波で省エネなアンプに理想的だ。研究は、6G 展開に不可欠なセンチメートル波帯域（7～15 GHz）に焦点を当てる。作業は 2 つの並行する柱で構成される：1 つは学術的なもので、効率性と設計限界をモデル化し、もう 1 つは産業的なもので、検証用のプロトタイプを設計・製造する。最終結果は 2027 年 8 月までに期待されており、これは ITU による IMT-2030 技術の評価と、同年の世界無線通信会議の直前となる。

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なぜ重要か

このイニシアチブは、通信、防衛、学術界の専門知識を結集し、6G に不可欠な、より効率的で高出力なアンプ技術を開発する。GaN-on-SiC は、基地局が集中的な計算負荷を処理しつつ、エネルギー消費と熱リスクを最小限に抑えることを可能にする可能性がある。初期のプロトタイプは、低歪みで高密度なネットワークに必要な回路設計を定義するかもしれない。このパートナーシップは、スウェーデンが高度なインフラストラクチャにおいて分野を超えて協力する能力も強調している。2027 年までに、このプロジェクトは新たな 6G 標準のための基盤となるハードウェアソリューションを提供することを目指している。成功すれば、これらの進歩は、世界中のベンダーや通信事業者が次世代ネットワークアーキテクチャを設計する方法に影響を与える可能性がある。