• 本 MOU は、HBM、Samsung の2nm 以下のファウンドリプロセス、および2030年までの先端パッケージングを対象とする。
  • 両社は、この協力関係が2000億米ドルを超えると見積もっているが、受注や生産スケジュールは明らかにしていない。

事実

Samsung Electronics と Broadcom は、メモリ、受託半導体製造、先端パッケージングを対象とする基本合意書（MOU）に調印した。両社は、2030年までの5年間でこの協力関係が2000億米ドルを超えると見積もっている。この合意はサンフランシスコで開催された AI サミットで発表された。

両社は、Broadcom の次世代アクセラレータ向けの高帯域幅メモリ（HBM）について協力する計画である。Samsung はまた、ワイヤレスブロードバンドチップを含む Broadcom 製品向けに2nm 以下のファウンドリサービス、および2.3D および2.5D の先端パッケージングを提供する。Samsung と Broadcom は、拘束力のある受注数量、製品名、生産スケジュールを明らかにしていない。本 MOU は、確定した製造コミットメントではなく、将来の作業分野を示している。

評価

本 MOU により、Broadcom は同じ商業枠組みの下で Samsung からメモリ、ウェーハ製造、先端パッケージングを調達できるオプションを得る。これにより、両社が将来のチッププログラムを調整することが容易になる可能性があるが、それは特定の製品が割り当てられ、生産の認定を受けた場合に限られる。

これらのコミットメントはまだ行われていない。両社は関連する製品、数量、スケジュールを特定していないため、本合意からは、Broadcom が Samsung の容量をどれだけ使用するか、あるいは3つの製造段階すべてが同じプログラムをサポートするかどうかはわからない。BTW の読者にとっては、将来の契約によって、本 MOU が製品名、割り当て容量、生産日を伴う明確な製造計画となるかどうかが決まるだろう。

注目点

製品固有の契約、完了した認定、HBM、ウェーハ製造、パッケージングに関する開示された受注に注目すべきである。これらの詳細は、MOU のどの部分が生産に移行しているか、そしてその時期を示すことになる。