Siemens وInfineon يعززان مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي

تتعاون Siemens وInfineon في مجال حماية كهربائية أسرع لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والمصانع وأنظمة تخزين البطاريات. ستزود Infineon وحدات CoolSiC MOSFET بجهد 1200 فولت لقواطع الدائرة من أشباه الموصلات SENTRON 3QD2 من Siemens، والتي تستهدف قطع الأعطال في نطاق الميكروثانية. الإشارة لقراء BTW هي أن منافسة البنية التحتية للذكاء الاصطناعي تمتد إلى ما بعد الرقاقات والتبريد لتشمل حماية الطاقة والتصميم الكهربائي.

• ستزود Infineon وحدات CoolSiC بجهد 1200 فولت لقواطع SENTRON 3QD2

• تصبح حماية الطاقة طبقة أساسية لمرونة البنية التحتية للذكاء الاصطناعي

الحقيقة

تتعاون Siemens وInfineon لتحسين الحماية الكهربائية لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والمصانع وتخزين البطاريات. ستزود Infineon وحدات CoolSiC MOSFET بجهد 1200 فولت وبحجم 62 مم لقواطع الدوائر الكهربائية من أشباه الموصلات SENTRON 3QD2 من Siemens، والتي تقطع الأعطال في غضون ميكروثانية، أي أسرع بمقدار 1000 مرة من القواطع الكهروميكانيكية التقليدية. تستهدف التقنية كفاءة أعلى وكثافة طاقة أكبر، مع عرض تجريبي مخطط له في PCIM Europe 2026 في نورمبرغ من 9 إلى 11 يونيو.

التقييم

يصعب حماية مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي لأنها تستهلك طاقة أكبر وتضم معدات أكثر في كل منشأة. يمكن أن يؤدي عطل كهربائي قصير إلى إتلاف أنظمة باهظة الثمن أو التسبب في توقف مكلف. تضع Siemens وInfineon حماية الدوائر دون الميكروثانية لتقليل هذا الخطر قبل انتشار الأعطال. أصبحت طبقة المرونة الكهربائية بنفس أهمية الرقاقات والتبريد للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي عالية الكثافة.

ما الذي يجب مراقبته

راقب ما إذا كانت قواطع الدوائر من أشباه الموصلات تنتقل من تقنية عرض إلى مواصفات حقيقية لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، خاصة في المشاريع التي تستخدم شبكات التيار المستمر وتخزين البطاريات وتوزيع الطاقة عالية الكثافة.