Siemens و Infineon يعززان مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي

تتعاون Siemens و Infineon على توفير حماية كهربائية أسرع لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والمصانع وأنظمة تخزين البطاريات. ستوفر Infineon وحدات CoolSiC MOSFET بجهد 1200 فولت لقواطع الدائرة شبه الموصلة SENTRON 3QD2 من Siemens، والتي تستهدف قطع الأعطال في نطاق الميكروثانية. الإشارة لقراء BTW هي أن المنافسة في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي تمتد إلى ما بعد الرقائق والتبريد لتشمل الحماية الكهربائية والتصميم الكهربائي.

Siemens و Infineon يعززان مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي

• Infineon ستوفر وحدات CoolSiC 1200 فولت لقواطع الدائرة SENTRON 3QD2
• تصبح الحماية الكهربائية طبقة رئيسية للمرونة في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي

الحقيقة

تتعاون Siemens و Infineon لتحسين الحماية الكهربائية لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي والمصانع وأنظمة تخزين البطاريات. ستوفر Infineon وحدات CoolSiC MOSFET بحجم 62 مم و1200 فولت لقواطع الدائرة شبه الموصلة SENTRON 3QD2 من Siemens، المصممة لقطع الأعطال في غضون ميكروثانية، أي أسرع بما يصل إلى 1000 مرة من الأنظمة الكهروميكانيكية التقليدية. تهدف التكنولوجيا إلى زيادة الكفاءة والموثوقية وكثافة الطاقة، مع عرض توضيحي مخطط له في PCIM Europe 2026 في نورمبرغ من 9 إلى 11 يونيو.

التقييم

هذا الموضوع مهم لأن مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي تصبح أكثر صعوبة في الحماية مع زيادة استهلاكها للطاقة وتركيزها لمزيد من المعدات في كل موقع. يمكن لعطل كهربائي قصير أن يتلف أنظمة باهظة الثمن، أو يقطع أعباء العمل، أو يتسبب في توقف مكلف. تقدم Siemens و Infineon حماية أسرع للدائرة كوسيلة لتقليل هذا الخطر قبل انتشار العطل. بالنسبة لقراء BTW، الإشارة هي أن المنافسة في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي تمتد إلى ما بعد الرقائق والتبريد لتشمل طبقة الحماية الكهربائية.

ما الذي يجب متابعته

سيكون من الضروري متابعة ما إذا كانت قواطع الدائرة شبه الموصلة ستنتقل من العرض التوضيحي إلى المواصفات الفعلية لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، خاصة في المشاريع التي تتضمن شبكات التيار المستمر والبطاريات والتوزيع عالي الكثافة.