• نجحت نسخة من رقاقات الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) من الجيل الخامس من Samsung Electronics، والمعروفة باسم HBM3E، في اختبارات Nvidia للاستخدام في معالجات الذكاء الاصطناعي لديها، وفقًا لثلاثة مصادر مطلعة على النتائج.
  • يمثل هذا التطور خطوة مهمة في التعاون بين عملاقي التكنولوجيا ويشير إلى خطوة إلى الأمام في تقدم تكنولوجيا الذكاء الاصطناعي.

رأينا
نفيديا هي شركة رائدة في مجال وحدات معالجة الرسومات (GPU) ومعالجات الذكاء الاصطناعي، مكرسة لتطوير تقنيات الحوسبة لمجموعة واسعة من التطبيقات. سامسونج إلكترونيكس هي شركة تصنيع عالمية للإلكترونيات الاستهلاكية وأشباه الموصلات، معروفة بمنتجاتها المبتكرة والمتقدمة التي تدفع الصناعة إلى الأمام. تعد رقاقات HBM3E من سامسونج في معالجات الذكاء الاصطناعي من نفيديا بسرعات أسرع وكفاءة أفضل والقدرة على إدارة نماذج ذكاء اصطناعي أكبر وأكثر تعقيدًا، مما يدفع الابتكار في الذكاء الاصطناعي.
–Rebecca Xu، صحفية في BTW

ما حدث

وفقًا لثلاثة مصادر مطلعة على الأمر، فإن نسخة من رقاقات الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) من الجيل الجديد من Samsung Electronics، والمعروفة باسم HBM3E، قد اجتازت بنجاح تقييمات Nvidia للتكامل في معالجات الذكاء الاصطناعي لديها.

على الرغم من أن Samsung وNvidia لم يرسما بعد اتفاقية توريد لرقاقات HBM3E ذات 8 طبقات التي تم اختبارها، يتوقع المطلعون أن يتم الاتفاق قريبًا، مع تسليمات مقررة للربع الرابع من عام 2024.

يقوم معيار HBM، وهو ذاكرة DRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية) التي تم تقديمها في عام 2013، بتجميع الرقاقات عموديًا لتوفير المساحة وتقليل استهلاك الطاقة. وهو ضروري لوحدات معالجة الرسومات للذكاء الاصطناعي، مما يساعد في معالجة كميات كبيرة من البيانات من التطبيقات المعقدة. من المتوقع أن تصبح رقاقات HBM3E منتج HBM السائد في السوق هذا العام، مع تركيز الشحنات في النصف الثاني من العام، وفقًا لشركة الأبحاث TrendForce.

اقرأ أيضًا:Samsung تتوقع ارتفاع الطلب على الرقاقات بفضل الذكاء الاصطناعي

اقرأ أيضًا:تأخير رقاقات الذكاء الاصطناعي من Nvidia هو اختبار لسلسلة توريد الذكاء الاصطناعي

لماذا هذا مهم

من المتوقع أن يؤثر اعتماد Nvidia لرقاقات HBM3E ذات 8 طبقات من Samsung بشكل كبير على مستقبل تكنولوجيا الذكاء الاصطناعي، لا سيما من خلال تحسين الأداء والكفاءة.

أولاً، توفر رقاقات HBM3E زيادة كبيرة في عرض النطاق الترددي للذاكرة، وهو أمر بالغ الأهمية لمعالجات الذكاء الاصطناعي التي تتعامل مع أعباء العمل المعقدة. توفر الرقاقات معدل نقل بيانات يبلغ 9.6 جيجابت/ثانية، وهو تحسن عن 6.4 جيجابت/ثانية التي توفرها HBM3، مما يؤدي إلى أكثر من 1,200 جيجابايت/ثانية من عرض النطاق الترددي للذاكرة مقابل 819 جيجابايت/ثانية للجيل السابق. تسمح هذه القفزة في عرض النطاق الترددي بمعالجة نماذج ذكاء اصطناعي أكبر وأكثر تعقيدًا، مما يحسن أداء تطبيقات الذكاء الاصطناعي.

ثانيًا، تم تصميم رقاقات HBM3E بتقنيات متقدمة مثل البوابات المعدنية عالية العزل (HKMG) التي تقلل من تسرب التيار الكهربائي، مما يحسن الدائرة الداخلية ويزيد كفاءة الطاقة بنسبة 12% مقارنة بالجيل السابق. هذه الزيادة في الكفاءة حيوية لمعالجات الذكاء الاصطناعي التي تتطلب عرض نطاق ترددي عالي للذاكرة مع استهلاك طاقة منخفض، مما يسمح لها بالعمل في نطاقات درجة حرارة مثالية دون المساس بالأداء.

علاوة على ذلك، فإن رقاقات HBM3E من Samsung هي الأولى من نوعها في العالم وهي أسرع بنسبة 50% من HBM3 الحالية، مما يوفر إجمالي 10 تيرابايت/ثانية من عرض النطاق الترددي المجمع. وهذا يسمح للمنصة الجديدة بتشغيل نماذج أكبر بمقدار 3.5 مرات من الإصدار السابق، مع تحسين الأداء بعرض نطاق ترددي للذاكرة أسرع 3 مرات. القدرة على توصيل وحدات معالجة رسومات متعددة لأداء استثنائي وتصميم خادم قابل للتوسع بسهولة يضخم إمكانات معالجات الذكاء الاصطناعي لمعالجة أعباء عمل أكثر اتساعًا في مجال الذكاء الاصطناعي التوليدي.